电子工程专辑

2004年5月19日
首页 设计专栏 测试专栏 生产专栏 电子工程人物 论坛
快速搜索

高级搜索 帮助

会员天地
登录
现在注册
更新个人资料
更改速递选项
服务
人才中心 
电子工程辞典
市场研究报告
环球资源
研讨暨展览会

全球商展信息
网址推荐
网站导航
帮助
意见反馈
eMedia Asia
关于我们
联系我们
环球资源
电子零件
电脑产品
世界经理人网站
商展中心
采购交易会
环球资源企业网
世界经理人
CMP
EE Times Network
EBN Online
新闻和趋势

打 印 版   打 印 版 email this to a colleague  推 荐 给 同 仁 Send your inquiry to the appropriate company.  发 送 查 询

联电采用莱智科技CharFlo-Memory!工具组
上网时间 : 2004年01月08日

莱智科技(LegendDesign)股份有限公司日前宣布,台联电(UMC)已采用莱智科技CharFlo-Memory!套装工具,应用于晶圆工艺中客制IP产出。基于自布局萃取电路所得的电阻、电容效应数据,莱智科技的CharFlo-Memory!工具组据称可在任何PVT(工艺,电压,温度)状况下,产生精确的芯片内存对象模型。

UMC的首席SOC工程师Patrick Lin表示: “随着系统芯片设计日益进化升级,内存的重要性也随之提高。为协助设计者缩短产品量产上市的时间,UMC提供便捷存取途径予内存编译器供货商,用以产生可 立即整合于客制化设计IP模块。现今,一般性CMOS技术依其不同特性已有多重变因,如高速度,低功率,高密度等。最重要的是,每一个工艺变因皆必须做特 性分析。也由于各项特性皆属相异,为特定制程的再次特征化分析实为必要,如此方可确保达成所要速度与良率。”

Patrick Lin指出,针对各种PVT(工艺,电压,温度)状况分析,莱智科技CharFlo-Memory!工具组,可执行高精确率与高效率的自动化特性确认。UMC现已拥有验证工艺改变对内存IP的功能与稳定度所产生可能影响的便利工具。

莱智科技总裁兼执行长魏游邦先生则强调,嵌入式内存的品质与稳定度,对于深亚微米硅制造的成功与纳米系统芯片设计,都有至为攸关的影响。

相关内容
产品新知
  • 力旺推逻辑工艺可编程SD/MMC闪存卡控制芯片 (04-05-12)
  •  
    技术文库
  • 存储技术在自控系统设计中的应用 (00-11-01)
  • 新闻和趋势
  • 三星加入IBM技术开发联盟,获90纳米工艺授权 (04-03-11)
  • 闪存产能紧张,SST部分代工移至宏力和华虹NEC (03-11-25)
  • 更多...
     



    使用条款 | 隐私政策 | 安全承诺
    Copyright © 2004. 版权所有。未经eMedia Asia Ltd书面许可,禁止以任何形式或媒体进行全部或部分复制。
    警告:本网站上的图像由数码水印技术保护。您对本网站的任何使用应遵守我们的使用条款,并构成对该条款的知悉和接受。